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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题佛系心态是什么意思隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安(ān)全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)佛系心态是什么意思，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。