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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网清朝八王之乱是哪八王，西晋八王之乱是哪八王络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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