大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(f一般墓地种多少棵柏树吉利，墓地一般种几棵柏树好ǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比一般墓地种多少棵柏树吉利，墓地一般种几棵柏树好分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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