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　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安青金石价格一般多少，青金石价格一般多少一克(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn青金石价格一般多少，青金石价格一般多少一克)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储青金石价格一般多少，青金石价格一般多少一克产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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