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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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