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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头小兔子被蛇用两根WRITEAS，小兔子被蛇用两根做了之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星小兔子被蛇用两根WRITEAS，小兔子被蛇用两根做了、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚小兔子被蛇用两根WRITEAS，小兔子被蛇用两根做了至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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