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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì10的负3次方等于多少 10的负3次方平方厘米等于多少平方米)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)10的负3次方等于多少 10的负3次方平方厘米等于多少平方米、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采10的负3次方等于多少 10的负3次方平方厘米等于多少平方米购金额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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