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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　中国有多少个在职少将，中国现有多少在职上将　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国有多少个在职少将，中国现有多少在职上将中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(mě中国有多少个在职少将，中国现有多少在职上将i)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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