大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为吾妻之美我者的美是什么意思，吾妻之美我者的美是什么用法 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(g吾妻之美我者的美是什么意思，吾妻之美我者的美是什么用法uò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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