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英红九号是名茶吗,英九红茶叶价格一览表 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日前,网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此,网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规,我国内英红九号是名茶吗,英九红茶叶价格一览表关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查,目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全(quán),是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng),只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求,欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中(zhōng)国(guó)网信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全,防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》,网络(luò)安全审查办公室按照《英红九号是名茶吗,英九红茶叶价格一览表网络安全审查(chá)办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头,也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统英红九号是名茶吗,英九红茶叶价格一览表计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降,至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约,确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势,公(gōng)司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析,如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制,或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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