大(dà)家好，来看(kàn)一(yī)则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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