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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎ临平职高有哪些专业是大专，临平职高有哪些专业是大专3十2ng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zu临平职高有哪些专业是大专，临平职高有哪些专业是大专3十2ì)关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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