大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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