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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.5碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量2％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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