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高级合伙人律师一年收入多少,律师合伙人分几级 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

  据网(wǎng)信办消息,日(rì)前,网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

  审查发现(xiàn),美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患高级合伙人律师一年收入多少,律师合伙人分几级,对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

  此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查,目(mù)的是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán),防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》,对(duì)美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审(sh高级合伙人律师一年收入多少,律师合伙人分几级ěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

  公告(gào)显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场的(de)供应优势,公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国(guó)区销售受到限制,或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(ch高级合伙人律师一年收入多少,律师合伙人分几级ǎn)线(xiàn)资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制名单,设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù),看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜沉(chén)积)等相关公(gōng)司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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