大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构威尔士首都是哪个城市 威尔士是哪个国家#ff0000; line-height: 24px;'>威尔士首都是哪个城市 威尔士是哪个国家(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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