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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是分数的导数公式口诀，分数的导数公式推导防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要分数的导数公式口诀，分数的导数公式推导遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(g分数的导数公式口诀，分数的导数公式推导ōng)司(sī)披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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